В дополнение к замене одного из атомов решетки атомом группы 3, мы также можем заменить его атомом с пятью валентными электронами, такими как атомы группы 5 мышьяка (As) или фосфора (P).В данном случае, примесь добавляет пять валентных электронов в решетку, где она может содержать только четыре. Это означает, что теперь в решетке есть один избыточный электрон (см. рисунок ниже).Потому что он пожертвует электрон, примечательно, что материал остается электрически нейтральным.
Донорские примеси донорируют отрицательно заряженные электроны в решетку, поэтому полупроводник, который был допирован донором, называется полупроводником n-типа; "n" означает отрицательный.Количество свободных электронов превышает количество отверстий в материале n-типа, так что электроны являются носителями большинства и дыры являются носителями меньшинства.
[p-n соединительные диоды состоят из двух соседних частей полупроводниковых материалов p-типа и n-типа. p-типа и n-типа материалы являются просто полупроводниками, такими как кремний (Si) или германий (Ge),с атомарными примесямиПроцесс целенаправленного добавления примесей в материалы называется допингом;полупроводники с примесями называются "допированными полупроводниками";.]
В дополнение к замене одного из атомов решетки атомом группы 3, мы также можем заменить его атомом с пятью валентными электронами, такими как атомы группы 5 мышьяка (As) или фосфора (P).В данном случае, примесь добавляет пять валентных электронов в решетку, где она может содержать только четыре. Это означает, что теперь в решетке есть один избыточный электрон (см. рисунок ниже).Потому что он пожертвует электрон, примечательно, что материал остается электрически нейтральным.
Донорские примеси донорируют отрицательно заряженные электроны в решетку, поэтому полупроводник, который был допирован донором, называется полупроводником n-типа; "n" означает отрицательный.Количество свободных электронов превышает количество отверстий в материале n-типа, так что электроны являются носителями большинства и дыры являются носителями меньшинства.
[p-n соединительные диоды состоят из двух соседних частей полупроводниковых материалов p-типа и n-типа. p-типа и n-типа материалы являются просто полупроводниками, такими как кремний (Si) или германий (Ge),с атомарными примесямиПроцесс целенаправленного добавления примесей в материалы называется допингом;полупроводники с примесями называются "допированными полупроводниками";.]
Адрес
Комната 1406, блок Б, здание 6, Чжанцзи Плаза, No 429, Мааншан Южная дорога, Хэфэй, Анхуй, Китай
Телефон
86-137-21030134
Электронная почта
airey@hefeisunrise.com
